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NTHD3100C
TYPICAL N ? CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
400
300
C ISS
C RSS
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
3
V DS
Q G
V GS
15
12
9
200
2
Q GS
Q GD
6
100
C OSS
1
I D = 2.9 A
T J = 25 ° C
3
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
0
0
0.5
1 1.5 2
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
2.5
0
3
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
10
V DS = 10 V
I D = 2.9 A
V GS = 4.5 V
t r
t d(off)
t d(on)
5
4
3
2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1
1
1
t f
10
100
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
5
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